近日，国际低温材料委员会(ICMC)授予中国科学院电工研究所副研究员王栋樑2020年低温材料杰出青年学者奖，以表彰其在二硼化镁超导长线及其线圈、铁基超导接头等研究领域的开创性工作。颁奖典礼在2020年1月第10届亚洲应用超导与低温会议暨第二届亚洲低温材料国际会议上举行，美国工程院院士、国家强磁场实验室首席材料科学家D. Larbalestier教授为王栋樑颁奖。
　　国际低温材料杰出青年学者奖旨在表彰近年来在低温材料知识领域取得卓越成就的40岁以下青年科研人员，是国际低温材料领域授予青年学者的最高奖项，每年颁发一次，每次奖励1或2名获奖者。王栋樑是迄今为止获得该奖项的第一位中国内地青年学者。
　　王栋樑长期致力于新型超导线带材制备及其性能的研究，在中心镁扩散法二硼化镁超导长线及其线圈、铁基超导接头研制等方面开展了一系列原创性工作。截至目前，以第一及共同作者在国际超导期刊发表SCI论文100多篇，授权国家发明专利30多项，获省级科技奖2项。
　　颁奖现场