经国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会批准，由中国科学院微电子研究所牵头制定的《智能计算 忆阻器测试方法 第2部分：线性度》（GB/T 46567.2-2026）于4月30日发布，并将于11月1日起正式实施。

忆阻器作为实现新型存算一体架构的代表性器件，被视为打破传统计算体系中“存储墙”与“功耗墙”的关键技术路径。标准系统规定了忆阻器线性度测试的环境条件、测试装置、关键指标及测试方法，为相关测试工作提供了规范依据。

本标准与微电子所参与的《智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性》（GB/T 46567.1-2025）、在研标准《智能计算 忆阻器测试方法 第3部分：脉冲依赖可塑性》（计划编号：20253308-T-469）相互衔接，为忆阻器从基础特性到线性度、再到可塑性功能的系统化测试提供了完整的标准化支撑。