8月28日至8月31日，日本大阪大学教授Satoshi Hamaguchi应中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所邀请来所进行交流访问。

　　28日上午，在等离子体所，Satoshi Hamaguchi作了题为Atomic-scale analyses of plasma-surface interactions for modern semiconductor processes的学术报告。在报告中，Satoshi Hamaguchi介绍了等离子体中的活性成分在刻蚀方面的作用。在理论上，通过分子动力学模拟分析了Ar+、CF1+、CF2+、CF3+等成分在SiO2刻蚀过程中的机理，探索了提高SiN/SiO₂或SiN/Si高选择性刻蚀的可行方案及机理。在实验上，通过使用质量选择离子束系统分析了CF⁺、CH₂F⁺离子束剂量、离子能量对Si₃N₄刻蚀率的影响，并探索了等离子体中氢成分在选择性刻蚀中的作用。

　　会场座无虚席，大家认真聆听仔细记录，报告尾声师生们踊跃主动地与Satoshi Hamaguchi进行了热烈交流和探讨。对于大家提出的各种问题，Satoshi Hamaguchi均给予了耐心细致的解答。此次报告会为师生们提供了学习和交流的平台，对拓宽研究视野，提升科研活力，深化相互间了解与合作，起到了积极的促进作用。

　　Satoshi Hamaguchi在纽约大学数学科学Courant研究所获得数学博士学位，在东京大学获得物理学博士学位，目前是大阪大学原子与分子科技中心教授、美国真空学会和美国物理学会会员。