8月29日，香港理工大学博士Yang Chai来中国科学院微电子研究所进行学术交流，并作了题为Two-Dimensional Layered Materials for Nanoelectronics- Interconnect and Transistor的学术报告。来自全所各部门的40余名科研人员、研究生参加了交流会。

　　Yang Chai在报告中详细阐述了基于二维层状材料的互联和晶体管，指出采用石墨烯层作为Cu互联的屏蔽层，可防止铜离子的迁移，抑制电化学反应，减少铜互联与SiO2接口处的铜离子密度。他详细介绍了基于二维材料PtSe2的电子器件的特性，基于PtSe2的场效应晶体管在室温中有高的迁移率（~210 cm2V-1s-1），块状PtSe2器件具有金属般的电导率（6.64×105 S/m），通过调节PtSe2的禁带宽度可以使其对近红外光快速响应。报告结束后，与会人员就二维材料的制备与应用等领域同Yang Chai进行了热烈的学术讨论。

　　Yang Chai现任香港理工大学应用物理学院助理教授，IEEE电子器件学会杰出讲师，2014年获香港研究资助局颁发的“早期职业奖”，研究领域为低维材料和电子器件。

会议现场