6月9日，韩国浦项科技大学教授Hyunsang Hwang来中国科学院微电子研究所进行学术交流，并作了题为Analog synapse devices based on interface resistive switching for neuromorphic system的学术报告。微电子所研究员、中科院院士刘明主持会议。相关部门科研人员、研究生共40余人参加了交流会。

　　Hyunsang Hwang在报告中介绍了在神经元系统中的基于界面电阻转变的突触模拟器件。其所在课题组利用在金属/氧化物界面的氧化还原反应开发了突触模拟器件。与细丝性阻变器件相比，界面电阻转变器件具有良好的一致性和转变区域可伸缩性等特点。通过控制金属电极的氧化反应和阻变层中的氧浓度，可以调节不同状态下的电导。课题组制备的高密度突触阵列器件具有良好的电阻转变一致性。通过调节电导变化的线性度和对称性，可以确定手写数字模式识别的准确性。课题组还发现具有线性和对称性电导变化的突触器件可以提高模式识别的精度。与会人员就阻变存储器、神经元突触等领域与Hyunsang Hwang进行了热烈的学术讨论。

　　Hyunsang Hwang现任韩国浦项科技大学材料科学与工程学院教授、韩国科学技术学院院士、IEEE电子器件学会的高级会员，研究领域包括半导体器件及工艺，发表期刊论文330篇，申请专利120项。