12月2日，美国路易斯安那州立大学物理和天文学系教授Jiandi Zhang应邀访问中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心，并在强磁场科学论坛作了题为Explore & Control Complex Oxide Interfaces with Atomic Precision的学术报告。

　　过渡金属氧化物（TMOs）由于结构中包含未满壳层的d电子，因此展现出丰富的物理性质。同时，TMOs形成的表面、界面、薄膜和异质结具有不同于块体的性质，然而这些现象的物理根源仍然存在争议。报告会上，Jiandi Zhang简要介绍了他们搭建的实验平台，该平台包括脉冲激光沉积（PLD）、低能电子衍射（LEED）、电子能量损失谱（EELS）等部件，可以生长具有高质量界面的TMOs薄膜，并可从原子尺度上对界面进行表征和测量。随后，Jiandi Zhang详细讲述了近期的两项工作——SrTiO/LaSrMnO界面和BaTiO/LaSrMnO界面研究。他们通过对不同原子层数界面的精确表征和测量，并结合理论计算，更确切地解释了这两种界面物理性质的根源。在提问环节，Jiandi Zhang与参会者就薄膜切割和表层原子的保护以及其他重要的问题进行了深入探讨，并对下一步合作研究进行了探讨。

　　Jiandi Zhang于1982年和1986年先后在南京科技大学和中科院获得学士和硕士学位，1986年到1989年在上海交通大学工作，后进入美国雪城大学学习，于1994年获得博士学位，之后分别在内布拉斯加林肯大学、橡树岭国家实验室、佛罗里达国际大学从事研究工作，2009年被路易斯安那州立大学聘任为正教授。Jiandi Zhang已发表论文100余篇，并当选美国物理学会会士。