.TRS_Editor P{margin-top:0px;margin-bottom:12px;line-height:1.8;font-family:宋体;font-size:10.5pt;}.TRS_Editor DIV{margin-top:0px;margin-bottom:12px;line-height:1.8;font-family:宋体;font-size:10.5pt;}.TRS_Editor TD{margin-top:0px;margin-bottom:12px;line-height:1.8;font-family:宋体;font-size:10.5pt;}.TRS_Editor TH{margin-top:0px;margin-bottom:12px;line-height:1.8;font-family:宋体;font-size:10.5pt;}.TRS_Editor SPAN{margin-top:0px;margin-bottom:12px;line-height:1.8;font-family:宋体;font-size:10.5pt;}.TRS_Editor FONT{margin-top:0px;margin-bottom:12px;line-height:1.8;font-family:宋体;font-size:10.5pt;}.TRS_Editor UL{margin-top:0px;margin-bottom:12px;line-height:1.8;font-family:宋体;font-size:10.5pt;}.TRS_Editor LI{margin-top:0px;margin-bottom:12px;line-height:1.8;font-family:宋体;font-size:10.5pt;}.TRS_Editor A{margin-top:0px;margin-bottom:12px;line-height:1.8;font-family:宋体;font-size:10.5pt;}　　9月8日，台湾交通大学教授Steve S. Chung来中国科学院微电子研究所进行学术交流，并作了题为A New Architecture of Single-transistor NVM Feasible for Embedded Applications的学术报告。微电子所微电子重点实验室研究员龙世兵主持交流会。全所科研人员、研究生共40余人参加了交流会。 　　Steve S. Chung在报告中指出，阻变存储器（RRAM）由于制备简单、与CMOS兼容等优点，被认为是替代闪存的潜在候选。然而，RRAM在电路中的串扰问题、forming过程和一致性问题减缓了其产业化进程。他介绍了晶体管电阻栅的非易失存储器器件，该器件结构与闪存类似，但在晶体管栅上有一个简单的MIM（电极-绝缘介质层-电极）结构，且读出数据取决于晶体管的阈值电压（Vth）或漏极电流（Id）。采用双层绝缘介质层的MIM结构的器件具有耐久性好、存储窗口大、数据保持特性良好等特点，可有效解决传统RRAM交叉阵列结构中的串扰问题和forming过程。晶体管电阻栅结构的非易失存储器器件优于第一代浮栅和第二代SONOS非易失存储器，与逻辑CMOS技术完全兼容，适合于NOR型和NAND型存储器，可应用于嵌入式电路。他同与会人员基于新结构的非易失存储器及其应用等领域进行了学术讨论。 　　Steve S. Chung现任台湾交通大学特聘教授和UMC研究客座教授，同时担任世界上两大的晶圆代工业——台积电和联电在CMOS和快闪记忆体技术方面开发的顾问，研究领域包括Nanscale CMOS器件、闪存、界面特性和可靠性建模等。