应中国科学院金属研究所邀请，2016年度李薰青年学者奖获得者、美国伊利诺伊大学香槟分校博士Shen J Dillon于5月3日至8日访问金属所。

　　来访期间，Shen J Dillon为金属所科研人员和研究生作了题为Atomic Transport in Crystalline Alloys in Extreme Environments及In-situ Characterization of Reaction Mechanisms and Degradation Processes in Energy Conversion and Storage Systems的两篇李薰奖报告。报告前，副所长张健代表金属所为Shen J Dillon颁发了李薰青年学者奖奖牌。报告中，Shen J Dillon详细介绍了金属材料中剧烈塑性变形引起的自组装纳米结构机制、晶界/界面结构对点缺陷吸收效率的影响、原位环境透射电镜技术在电化学合成反应、锂离子电池电极材料、辐照损伤蠕变、纳米结构多层膜力学性能分析等前沿领域的最新研究成果。

　　Shen J Dillon的研究工作集中于陶瓷材料偏析和晶界的原子结构及其组织演变。着眼于揭示材料微观层面的原子尺度过程和整体性质。当前工作涉及能源类纳米材料的结构表征和性能应用，在原位透射电镜表征工作方面取得了重要成就。发表SCI论文60余篇，引用数超过900次。承担美国DOE、NSF和Naval Research Lab多项科研任务，同时与科技企业（GE、Samsung、BP等）保持密切的合作关系，拥有多项美国专利。

Shen J Dillon作报告