12月11日上午，中国科学技术大学教授陈仙辉应中国科学院电工研究所超导与能源新材料研究部邀请，就通过门电压调控技术探索高温超导体的问题与电工所师生进行了深入交流。报告会由电工所研究员马衍伟主持。 

　　报告中，陈仙辉介绍了所属研究团队通过门电压调控技术在基于FeSe的化合物中获得高Tc超导体方面取得的最新进展。通过在单晶薄片上采用液相离子门电压调控技术，将(Li,Fe)OHFeSe材料的临界转变温度由最初的25K提高到了43K。同时，在获得最高Tc的掺杂量附近——强电子掺杂区域，观察到了从超导体到AFM绝缘体的一级相变。在FeSe单晶薄片上采用液相离子门电压调控技术进行了电子掺杂，通过不断提高栅极电压（~4.2 V），FeSe单晶薄片的临界转变温度由初始的10K提高到了48K。报告最后，陈仙辉就固相离子门电压调控技术的开发进行了简要的介绍，还指出此技术的成功运用对于半导体材料等方面的研究同样具有重要意义。 

　　报告结束后，陈仙辉就如何进一步提高超导材料的临界转变温度以及通过门电压调控技术进行材料改性与在座人员进行了探讨。此次报告使电工所师生对新型超导材料发现及结构解析过程有了全面了解，对新材料探索和分析方法也有了更加明确的认识。 

　　陈仙辉主要从事高温超导体材料、强关联体系以及其它新型功能材料的探索合成和物理性质的研究。1998年获国家杰出青年科学基金，2002年入选教育部长江特聘教授，2009年获香港求是科技基金会求是杰出科技成就集体奖，2013年获国家自然科学一等奖，2015年获Bernd T. Matthias Prize，并当选中科院院士。

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