12月10日上午，受强磁场科学论坛的邀请，复旦大学教授侯晓远为论坛第十三讲开讲。侯晓远作了题为“界面物理过程对有机小分子太阳能电池I-V曲线的影响”的学术讲座，吸引了多个研究所的老师和同学前来聆听。

　　I-V曲线是最基本也是最重要的表征太阳能电池性能的方法。而在有机小分子器件中，各个界面的物理过程发挥至关重要的作用。侯晓远着重介绍了在界面物理过程对于I-V曲线的影响方面的研究工作，他们在实验中证实了S形I-V曲线来自于ITO/有机界面的衰减，并且提出了一个改良的器件等效电路模型。课题组还在ITO/有机界面处插入MoOx层会显著地抑制界面势垒的产生，避免了S形I-V曲线的出现，从而极大延长了器件的寿命。除此之外，他们还发现给体材料CuPc与受体材料C60中激子产生的光电流对负向偏压的响应完全不同，通过实验提出了在C60层中三态激子-电子相互作用是导致这个现象的主要物理机制。

　　会后，侯晓远与来自强磁场、等离子所和固体所的老师进行了长时间的讨论，之后参观了强磁场中心的稳态强磁场实验装置及部分实验室，并就相关问题与强磁场中心科研人员进行了沟通和交流。

　　侯晓远为复旦大学教授、博士生导师。现任教育部科技委委员(信息学部)。曾任中国物理学会常务理事（2003-2011），复旦大学应用表面物理国家重点实验室主任(1998-2005)、中国物理学会表面与界面委员会主任(2003-2009)。曾获“国家杰出青年科学基金”(1995)、求是科技基金会“杰出青年学者”奖(1996)、上海市自然科学牡丹奖(1996)、中国物理学会叶企孙物理奖(1997)、上海市科学技术进步一等奖(2003)、上海市模范教师(2009)。