10月30日至11月2日，经过一年多时间的精心筹备，第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议在苏州召开。会议由中国电子学会电子材料学分会主办，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办，江苏省纳米技术产业创新中心协办。 

　　宽禁带半导体材料与器件已成为电子材料领域研究和发展的热点，并将成为产业发展的重点。作为“CHInano2015第六届中国国际纳米技术产业发展论坛暨纳米技术成果展”的重要内容之一，本次会议吸引了来自大陆和港台地区的400余位科技工作者、工程师和企业家参加，其中在校学生占到40%左右。 

　　本次会议共收到学术交流论文202篇，其中大会特邀报告12篇，分会特邀报告40篇，一般口头报告64篇，张贴海报86篇。会议交流论文覆盖了GaN/SiC/ZnO/金刚石/石墨烯等宽禁带体系的材料、器件以及应用等领域，会议分材料生长、光电器件、微电子器件、新型材料与器件四个专题进行了交流，反映了目前国内在宽禁带半导体学术和产业最新的研究进展和成果，促进了产学研的相互合作和交流。为了鼓励年轻的宽禁带半导体材料与器件研究者脱颖而出，本次会议评选出了8位“青年优秀论文奖”获得者，以表彰他们在宽禁带半导体材料与器件方面优秀的研究成果。 

大会现场