10月27日，应器件部主任秦华邀请，美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授Chris Palmstrom访问中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所。

　　在所期间，Chris Palmstrom作了题为Molecular Beam Epitaxial Growth of Spintronic Materials的学术报告。报告阐述了铁磁/半导体界面自旋输运的关键问题，指出它们的结构和电子特性是决定性影响因素，着重探讨了外延磁性金属/ III-V族半导体异质界面及其对磁性和自旋输运特性影响。同时，报告指出，界面反应、非磁性中间层的形成，以及导电性失配也归因于低自旋注入效率。Chris Palmstrom还介绍了实验室MBE设备以及实验流程表征手段等。