首页 > 一线动态

“电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子效应的影响机制”项目启动

2015-09-30 新疆理化技术研究所
【字体:

语音播报

  9月29日,由中国科学院新疆理化技术研究所承担的国家自然科学基金大科学装置联合基金重点支持项目“电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子效应的影响机制”启动会在新疆理化所召开。新疆维吾尔自治区科技厅社会发展与基础研究处及项目合作单位中科院近代物理研究所相关负责人参加了会议。

  “电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子效应的影响机制”项目依托近代物理所重离子加速器和新疆理化所总剂量效应研究平台,针对纳米SRAM器件开展电离总剂量对单粒子效应影响机制的研究,获得总剂量辐射对单粒子效应作用的规律,揭示总剂量影响器件单粒子效应电荷收集过程的物理机制,建立总剂量辐射感生陷阱电荷作用下的纳米器件单粒子效应电荷收集模型。研究结果将为长寿命卫星中的纳米器件抗辐射性能全面评估和加固提供科学依据,为国产宇航器件的研发和自主可控提供理论基础和方法指导,丰富抗辐射电子学理论。

  会议由新疆理化所副所长崔旺诚主持。所长李晓要求新疆理化所该项目相关成员要全力以赴完成项目研究内容。中科院近代物理所所长肖国青希望两家单位以此项目为依托,认真并广泛的进行科学研究与合作。项目负责人新疆理化所研究员陆妩简述了项目的研究内容、研究基础、预期目标和成果及项目进度安排等。专家组对项目的实施细节、预期目标等内容进行了深入、细致的讨论。

  会后,专家组参观了辐射效应实验室。

会议现场

打印 责任编辑:陈丹

扫一扫在手机打开当前页

© 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

  • © 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

    电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

  • © 1996 - 中国科学院 版权所有
    京ICP备05002857号-1
    京公网安备110402500047号
    网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
    电话:86 10 68597114(总机)
       86 10 68597289(总值班室)