9月18至19日，应中国科学院合肥物质科学研究院固体所副所长曾雉邀请，法国国家科学研究中心教授Pierre Ruterana访问固体所，并于19日下午作了题为“氮化物半导体薄膜生长方向与合金成分有序化以及成分分凝关系”的学术报告。 

　　报告中，Ruterana通过高分辨电子显微镜表征技术系统阐述了AlGaN和InGaN合金薄膜沿非/半极性面生长时合金成分分布与薄膜生长方向、生长条件和缺陷微结构之间的关系。该研究成果对相关材料生长控制和光电器件设计有重要意义。 

　　Pierre Ruterana现工作于法国国家科学研究中心CIMAP实验室（Centre de Recherche sur les Ions, les Matériaux et la Photonique，UMR 6252，CNRS），是CIMAP实验室能源材料研究部门的负责人。迄今为止，Ruterana已在Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等国际著名学术刊物发表SCI论文300多篇，包括多篇综述文章，被SCI检索论文引用2600多次。他担任国际期刊特刊主编9次，组织与召集欧洲材料学会、美国材料学会、欧洲电子显微镜学会等国际会议15场；受邀在欧洲材料学会、美国材料学会等国际会议做特邀报告70多场。Ruterana主编一本专著Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Devices，另外编写6部专著的相关章节。Ruterana参与5项欧盟研究计划，其中主持2项，另外3项是课题负责人。此外，Ruterana主持和参与多项法国国家研究署（ANR）项目和诺曼底地区项目。 

Ruterana作报告