8月27日至29日，“2015年中国原子层沉积技术交流与学术研讨会”在杭州举办。本次研讨会由中科院微电子学研究所、复旦大学主办，浙江大学硅材料国家重点实验室承办，来自全国各地近百位知名教授、专家学者参加了研讨会。 

　　本次研讨会旨在为本领域专家学者提供了解国内外ALD工艺、前驱体源和设备技术等方面最新发展动态的交流平台，进一步推动我国ALD技术的快速发展。 

　　研讨会上，微电子所研究员赵超、李超波作了最新研究成果报告。与会人员就感兴趣的问题积极踊跃提问并进行了热烈的讨论。会议同时举行了“中国仪表功能材料学会原子层沉积（ALD）专业分会”授牌仪式。中国仪表功能材料学会副秘书长唐逾向微电子所微电子设备技术研究室（八室）主任夏洋授予“原子层沉积（ALD）专业分会”牌匾。 

　　原子层沉积（ALD）作为一种自限制生长的纳米级成膜技术，具有精确的原子层级厚度控制、高度的共行覆盖能力、较低的生长温度等优点，现已被广泛地应用于微电子、光电子、催化、能源、光学、防护、生物医用材料等领域。