应中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员孙晓玮邀请，美国里海大学（Lehigh University）教授James Hwang于7月9日访问上海微系统所毫米波与太赫兹固态电子学课题组，并作题为Phosphorene FETs-Promising Transistors Based on a few Layers of Phorsphorus Atoms的学术报告。上海微系统所研究人员和学生共计20余人参加了本次学术交流会。

　　James Hwang在本次报告中重点介绍了二维材料黑磷及其应用于场效应晶体管方面的研究进展。与三维半导体材料相比，以石墨烯为代表的二维材料具有迁移率高，带隙窄的优点，近年来引起了研究者的广泛关注。与石墨烯相比，黑磷具有更窄的带隙结构，目前应用于晶体管制备方面已经取得了一系列显著的成绩，基于黑磷的晶体管将有可能代替现代薄膜晶体管成为下一代高速晶体管。James Hwang的报告内容详实，观点具有启发性，引起了与会人员的广泛交流和探讨。

　　James Hwang1970年本科毕业于台湾国立大学物理学专业，1973年和1976年分别在美国康奈尔大学（Cornell University）获得材料科学硕士学位和博士学位。博士毕业后，James Hwang先后在IBM，AT&T，GE等公司工作，于1988年加入美国里海大学至今。作为IEEE终身会员，他已发表300多篇学术文章，其中有一篇文章影响因子达到32，获得了6项美国专利授权。