5月17日至19日，由中国科学院强磁场科学中心与人工微结构科学与技术协同创新中心（南京大学）联合主办的合肥磁性斯格明子专题国际研讨会（Hefei Mini-workshop on Skyrmions）在合肥物质科学研究院举行。
　　来自美国霍普金斯大学、美国阿贡国家实验室、美国拉斯阿莫斯国家实验室、美国贝克利劳伦斯国家实验室、美国加州大学河边分校、德国慕尼黑大学、日本东京大学、香港大学等大学和研究机构的14名知名专家作了专题报告。来自复旦大学、浙江大学、南京大学以及中国科学技术大学的30多位师生也参加了研讨。会议围绕磁性斯格明子的基本原理、拓扑特性、以及基于磁性斯格明子材料的器件的设计等前沿问题或最新进展开展了广泛的交流和讨论；会议期间，与会者还参观了强磁场中心自行设计研制、拥有世界最高磁场强度的水冷磁体实验室，并就潜在的合作研究领域进行了探讨。
　　磁性斯格明子（Skyrmion）是一种新颖的具有拓扑行为的磁结构，具有粒子特性，在实验上发现其尺寸为纳米量级。这种特殊的自旋排列导致驱动斯格明子运动的电流密度要比传统磁畴壁运动所需的电流密度小5-6个量级，因而有望制备相关的高密度、高速度、低能耗存贮器件。磁性斯格明子的研究已经引起了国内外科技界、工业界的广泛关注，但纳米结构中单个斯格明子的控制与操控还都停留在原理上面，实验上研究刚刚起步，原型的器件也有待开发。
　　在斯格明子材料研究方面，强磁场科学中心田明亮课题组在国际上率先开展了纳米结构体系的实验与理论研究，已连续在Nat. Commun.，Nano Letters和Physical Review B等国际著名学术期刊上发表多篇论文。为进一步拓展研究方向,掌握和了解国际前沿的最新发展动态，强磁场科学中心研究员田明亮联合美国霍普金斯大学博士藏佳栋共同发起了本次研讨会。
　　背景链接：1988年法国科学家Fert与德国科学家Grunberg等巨磁电阻GMR效应的发现，带来了信息存储技术尤其是硬盘存储产业的革命，他们也因此获得了2007年度诺贝尔物理奖。目前基于巨磁电阻效应的产业价值高达每年数十亿美元。随着微电子器件集成度的日益提升、器件尺度逐渐减小，微电子器件遭遇到功耗密度大幅增大、器件制造成本剧烈提高的困难，产业的进程迫切要求发展新的科技，包括原理性突破。充分利用电子的自旋属性和多量子态的耦合与调控机制，发展新的信息存储材料，设计和开发尺寸更小、能耗更低、存储密度更高以及在信息处理、存储与传输更快的原型器件，很可能成为该产业的突破口，并有望成为下一次产业革命的前瞻性技术之一。因此，对新型信息存储材料研究和器件开发对我国未来在信息存储领域产生具有自主知识产权和能够主导下一次产业革命的新科技具有重大战略意义。

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