时间：11月3日（下周二）下午2:30

　　地点：强磁场5楼报告厅

　　报告题目：拓扑态材料的实验探索

　　报告摘要：

　　随着以拓扑绝缘体为代表的拓扑量子态材料的发现，拓扑态的研究成为凝聚态物理和材料方面的重要前沿之一。二维拓扑绝缘体在电子输运方面相对三维拓扑体具有特殊的优势，其一维的导电通道可以实现无耗散的电子输运。但是，迄今为止，实验上实现的二维拓扑绝缘体只能在低温下工作，其体态的能隙远小于室温。寻找高于室温的大能隙二维拓扑绝缘体成为大家关注的焦点之一。在本报告中，我将介绍我们在大能隙二维拓扑绝缘体材料的寻找、制备和表征方面的最新进展，主要关注的体系是超薄的二维铋薄膜和二维锡烯薄膜。另外，我还将介绍我们在基于三维拓扑绝缘体体系的拓扑超导体方面的实验探索和进展。

　　报告人简介：

　　钱冬，上海交通大学物理与天文系教授。1998年和2003年与复旦大学物理系获得学士和博士学位。毕业后在普林斯顿大学物理系从事博士后和研究学者工作。2009年加入上海交大。入选国家万人计划的青年拔尖人才计划。主要从事低维体系中新颖量子现象研究，在拓扑绝缘体、人工拓扑超导体、二维锡烯晶体薄膜、电子强关联体系等方面有一系列重要成果。发表SCI论文六十余篇，其中发表在Science、Nature、Nature Physics、Nature Materials、PNAS、PRL 等学术期刊上论文超过20篇。总他引次数超过5000次。