加快打造原始创新策源地,加快突破关键核心技术,努力抢占科技制高点,为把我国建设成为世界科技强国作出新的更大的贡献。

——习近平总书记在致中国科学院建院70周年贺信中作出的“两加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康,率先实现科学技术跨越发展,率先建成国家创新人才高地,率先建成国家高水平科技智库,率先建设国际一流科研机构。

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5月23日理化青年论坛学术报告预告

2015-05-18 理化技术研究所
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  报告人:曾海波教授 (南京理工大学)

  报告题目:缺陷助推新型光电材料:超薄半导体、发光量子点、柔弹性电极

  报告时间:2015年5月23日(周六)下午14:30-16:30

  报告地点:理化技术研究所1号楼402房间

  报告人简介:曾海波,南京理工大学教授,纳米光电材料研究所所长。2006年博士毕业于中科院固体物理所,曾工作于德国卡尔斯鲁厄大学、日本国立材料研究所。先后获得首届国家优青基金、安徽省科技一等奖。长期从事光电信息材料与器件研究,包括低维半导体计算设计、超薄半导体及其应用、量子点LED与光探测器、穿戴式信息与能源器件。共发表SCI论文120余篇,《纳米快报》、《先进材料》、《德国应化》等影响因子10以上论文近30篇,SCI引用4500余次,超过100次12篇。其中,2010年提出了氧化锌蓝色发光机制(AFM 2010, 20, 561),已获SCI引用600余次;2015年设计了砷烯与锑烯等VA族新型二维半导体(Angew 2015, 54, 3112),被Nature等10多个媒体亮点报道。

  报告摘要:对于半导体光电功能而言,缺陷既是不可避免的影响因素,也是必要的调控手段,在纳米材料中表现更为独特。此外,超薄半导体、发光量子点、柔弹性电极,正在成为新兴柔性及穿戴式器件的材料基础。本报告围绕纳米晶光电功能的缺陷效应展开。1),依据维度缺陷设计新型超薄半导体:实验实现了白石墨烯导电性转变、单层硫化钼相杂化电容提升、多层黑磷化学掺杂光探测器[1-3];设计了砷烯、锑烯等一系列VA族新型二维半导体,揭示了其高稳定性、可调带隙、高迁移率,及潜在电子、光电子、应力传感应用前景[4-5]。2),基于缺陷态发展无毒无稀土发光纳米晶:提出了氧化锌蓝色发光的间隙锌缺陷态模型[6-8];实现了碳点高效固态发光与背光源白光LED[9-11]。3),利用杂质提升柔弹性透明电极性能:发展了掺杂纳米晶的普适性一锅热解合成方法[12];实现了氧化锌纳米晶的高质量n型掺杂,大幅度提升了柔性电极性能[13];实现了铜纳米线表面的镍合金化,将弹性电极稳定性由几天提高到1200多天;初步实现柔性LED应用[14-16]。

打印 责任编辑:张楠

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