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研究人员研制4英寸原子级磁控溅射外延设备

2026年10月19日 宁波材料技术与工程研究所
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目前,主要的外延设备在大尺寸过渡金属氮化物单晶薄膜的生长中存在技术瓶颈。

此前,中国科学院宁波材料技术与工程研究所团队提出并发展了原子级磁控溅射外延(AMSE)概念。近期,团队联合物理研究所、中国科学技术大学等,研制出4英寸原子级磁控溅射外延系统。利用这一设备,科研人员制备出首个4英寸新型纤锌矿铁电半导体单晶异质结AlScN/TiN,其X射线摇摆曲线半峰宽仅为0.02°,证实薄膜的超高单晶质量。

研究发展了晶圆级单晶薄膜的原子级制造新方法。

4英寸AlScN及AlScN/TiN单晶薄膜

打印 责任编辑:侯茜

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