加快打造原始创新策源地,加快突破关键核心技术,努力抢占科技制高点,为把我国建设成为世界科技强国作出新的更大的贡献。

——习近平总书记在致中国科学院建院70周年贺信中作出的“两加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康,率先实现科学技术跨越发展,率先建成国家创新人才高地,率先建成国家高水平科技智库,率先建设国际一流科研机构。

——中国科学院办院方针

首页 > 科研进展

微电子所在动态随机存储器研究领域获进展

2022-07-01 微电子研究所
【字体:

语音播报

  DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩,传统1T1C结构的DRAM存储电容限制问题以及相邻存储单元之间的耦合问题愈发显著,导致DRAM进一步微缩面临挑战。基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战,在3D DRAM方面发挥更大优势。但目前研究工作都基于平面结构的IGZO器件,形成的2T0C单元尺寸(大约20F2)比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸(6F2)大很多,使得IGZO-DRAM缺少密度优势。

  针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题,中国科学院院士、中科院微电子研究所研究员刘明团队与华为海思团队联合在2021IEDM国际大会报道的垂直环形沟道结构IGZO FET的基础上,再次成功将器件的关键尺寸(CD)微缩至50 nm。微缩后的IGZO FET具有优秀的晶体管特性,包括约32.8 μA/μm的开态电流(Vth + 1 V时)和约92 mV/dec的亚阈值摆幅。同时,器件在-40 120 的温度范围内表现出了良好的热稳定性和可靠性。 

  该研究成果有助于推动IGZO晶体管在高密度3D DRAM领域的应用。基于该成果的文章Vertical Channel-All-Around (CAA) IGZO FET under 50 nm CD with High Read Current of 32.8 μA/μm (Vth + 1 V), Well-performed Thermal Stability up to 120 for Low Latency, High-density 2T0C 3D DRAM Application入选2022 VLSI,且获选Highlight文章。 

1 关键尺寸(CD50 nmIGZO-CAA FET的截面电镜图

2 关键尺寸(CD50 nmIGZO-CAA FET的转移输出曲线

打印 责任编辑:江澄

扫一扫在手机打开当前页

© 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn

  • © 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

    电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

    编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn

  • © 1996 - 中国科学院 版权所有
    京ICP备05002857号-1
    京公网安备110402500047号
    网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
    电话:86 10 68597114(总机)
       86 10 68597289(总值班室)
    编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn