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该成果近日以A Polarization-Switching, Charge-Trapping, Modulated Arithmetic Logic Unit for In-Memory Computing Based on Ferroelectric Fin Field-Effect Transistors为题发表在ACS Applied Materials & Interfaces上。
图(a)新型PS-CT多模态存算一体FinFET器件结构及原理;(b)结构TEM表征图;(c)p以及n型可重构PS-CT存算一体器件在不同VGSA与VGSB输入组合下获得的不同沟道电导分布图;(d)基于1T p型PS-CT FinFET实现XOR布尔逻辑运算的操作方案及电学结果;(e)基于4T的可重构加/减法器算术逻辑运算单元构建方案及电学结果
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