首页 > 每日科学

光纤水平低损耗硅晶圆光导制成

有助推动下一代光子集成电路发展

2026年02月09日 科技日报 张梦然
【字体:

语音播报

将光纤优异的低损耗性能延伸到光子芯片上,一直是光电子领域的重要挑战。现在,美国加州理工学院团队终于在可见光波段,成功制备出光纤水平的低损耗硅晶圆光导。这项进展将推动下一代高性能、高相干性的光子集成电路的发展,未来可广泛应用于片上光学时钟、陀螺仪等精密测量系统,以及人工智能数据中心通信和量子计算等领域。该成果发表于最新一期《自然》杂志。

团队开发出一种新方法,可将与光纤相同的锗硅酸盐玻璃以光刻工艺制备在硅晶圆上,在光子芯片低损耗光导研究方面取得关键突破。他们使用8英寸或12英寸晶圆,制备出螺旋状锗硅酸盐玻璃波导。这种结构能在有限面积内有效延长光路,同时材料便于与光纤和半导体激光器高效耦合,有助于降低数据中心等设施的能耗。

相比当前广泛使用的氮化硅材料,新平台在近红外波段已具备相当性能,在可见光波段优势更为明显。再通过低温退火工艺,波导表面可达到原子级平整,显著抑制散射损耗。在可见光波段,其性能较氮化硅现有纪录提升约20倍。

尽管芯片尺寸仅约2厘米,但光在环形谐振腔等器件中的有效路径长度可达米至千米量级,此时低损耗尤为关键。

低损耗特性直接提升了器件性能。基于该平台制备的激光器件,其相干时间较上一代技术提高100多倍。这一方法也扩展了可用波长范围,有助于实现芯片级原子传感器、光学时钟和离子阱系统。

目前,团队已利用该材料制备出环形谐振器、多种激光器及非线性频率生成器等。

打印 责任编辑:曹旸

扫一扫在手机打开当前页

© 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)