复合氧化物材料在纳米尺度可自组装成电子电路，或可用于研制新型计算机芯片。 图片来源：橡树岭国家实验室
　　美国能源部橡树岭国家实验室研究人员发现，纳米材料不可思议的行为超越了目前硅基芯片微处理器的能力。日前《先进电子材料》杂志封面文章报道的一项研究显示，复合氧化物单晶材料被局限在微观纳米尺度时，其表现如同一个多组分的电路，或能支撑新型的多功能计算体系结构。
　　据物理学家组织网15日报道，这种纳米材料的行为源于复合氧化物不寻常的“相分离”特征，在微小尺度上，材料表现出截然不同的电和磁特性。这意味着复合氧化物材料在单纳米尺度上，有望自行组装成电路元件。
　　橡树岭国家实验室研究员、论文作者扎克·沃德说：“材料单一区域内共存有不同的磁和电子行为，让它有可能用于创建可擦写电路。”这种材料可通过多种方式控制，也为创建新的计算机芯片类型提供了可能。
　　目前，计算机产业越来越受限于硅基芯片的尺寸，橡树岭国家实验室的这项原理验证实验表明，相分离材料可以在某种程度上超越传统的“一个芯片搞定所有问题”的方法和路径。多功能芯片能够同时处理多项输入和输出，可以为计算方面的特殊应用和需求提供支持。
　　沃德解释说，如果接入多个外部设备，通常需要将几个不同组件连接到计算机主板上。这项研究成果表明，某些复合材料可以将组件内置其中，这样可能减小尺寸和对电源的要求。新方法的目的是通过发展硬件水平来提高性能，这意味着驱动超级计算机、台式机和智能手机的材料和结构将不再被迫局限在一块芯片上了。
　　据报道，研究人员在一种名为LPCMO的材料上证明了其可行性，但强调不同的材料有不同的属性，工程师可以开发其他种类的相分离材料。