（图为CVD生长二维层状MoSi2N4，中国科学院金属研究所供图）
　　记者8月17日从中国科学院金属研究所获悉，该所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部近日在新型二维材料方面取得最新研究进展，发现二维层状MoSi2N4材料家族。相关成果论文已于近日发表于国际顶尖学术期刊《科学》。
　　以石墨烯为代表的二维范德华层状材料具有独特的电学、光学、力学、热学等性质，在电子、光电子、能源、环境、航空航天等领域具有广阔的应用前景。目前广泛研究的二维层状材料，均存在已知的三维母体材料。探索不存在已知三维母体材料的二维层状材料，可极大拓展二维材料的物性和应用，具有重要的科学意义和实用价值。
　　2015年，中科院金属所沈阳材料科学国家研究中心任文才、成会明团队发明了双金属基底化学气相沉积（CVD）方法，制备出多种不同结构的非层状二维过渡金属碳化物晶体。然而受表面能约束，富含表面悬键的非层状材料倾向于岛状生长，因此难以得到厚度均一的单层材料。
　　该团队最近研究发现，在CVD生长非层状二维氮化钼的过程中，引入硅元素可以钝化其表面悬键，从而制备出一种不存在已知母体材料的全新的二维范德华层状材料MoSi2N4，并获得了厘米级单层薄膜。在此基础上，科研团队与金属所陈星秋研究组和孙东明研究组合作，发现单层MoSi2N4具有半导体性质和优于MoS2的理论载流子迁移率，还表现出优于MoS2等单层半导体材料的力学强度和稳定性。
　　科研团队表示，该工作不仅开拓了全新的二维层状MoSi2N4材料家族，拓展了二维材料的物性和应用，而且开辟了制备全新二维范德华层状材料的研究方向，为获得更多新型二维材料提供了新思路。