近日，国际标准化组织（ISO）正式发布了微束分析领域中一项国际标准“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”，该标准由中国科学技术大学物理学院和微尺度物质科学国家研究中心丁泽军团队主导制定，是半导体线宽测量方面的首个国际标准，也是半导体检测领域由中国主导制定的首个国际标准，该标准的发布有助于促进半导体评测技术的发展，并提升我国在半导体行业的国际影响力和竞争力。
　　半导体行业的发展对集成电路器件加工尺寸的控制要求日趋精细。芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸，其中最小的特征尺寸被称为关键尺寸，其大小代表了半导体制造工艺的复杂性水平。对关键尺寸测量也可称为纳米尺度线宽测量，目前半导体的刻蚀线宽已经降到10纳米以下，其测量的精准性直接决定着器件的性能。纳米器件尺度的准确和精确（精度<1纳米）测量技术对半导体行业的发展起着至关重要的作用。
　　丁泽军团队长期从事电子束与材料相互作用领域的基础研究，发展了目前国际上最为先进的用于扫描电子显微术和表面电子能谱学的Monte Carlo模拟计算方法，他们结合“基于模型数据库”方法，提出了该“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”的ISO国际标准。与传统经验阈值方法相比，该测量方法能够给出准确的关键尺寸值，并且把线宽测量从单一参数扩展到包含结构形貌特征的信息，适用于如晶圆上的栅极、光掩模、尺寸小至10纳米的单个孤立的或密集的线条特征图案，这不仅为半导体刻蚀线宽的基于关键尺寸扫描电镜的准确评测确定了行业标准，也为一般性纳米级尺寸的其它测量法提供了参考。
　　（原载于《中国科学报》 2020-03-09 第4版 综合)