中国共产党党员、中国科学院院士、我国著名半导体光电子学专家、中国科学院半导体研究所研究员王圩同志，于2023年1月26日因病医治无效，在北京逝世，享年86岁。

王圩同志1937年12月25日出生于河北文安，1960年毕业于北京大学，同年到中国科学院半导体研究所工作至今。1984年加入中国共产党。1997年当选中国科学院院士。

王圩同志在半导体光电子学领域取得了一系列重要科研成果，培养了一大批专业人才。他率先在国内研制成功无位错硅单晶、单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度发光管；研制成功1.3微米/1.5微米激光器和应变量子阱动态单模分布反馈激光器，为我国研发第二、三代长途大容量光纤通信提供光源；主持开展大应变量子阱材料以及异质量子阱材料单片集成等关键技术研究，建立可集成半导体激光器、电吸收调制器、光放大器、探测器以及耦合器等部件的技术平台，为研究多光学部件的单片集成技术奠定基础。

王圩同志曾获得众多荣誉和奖励，包括国家“六五”科技攻关奖、国家科学技术进步二等奖、中国科学院科学技术进步一等奖等。