清华大学薛其坤、王亚愚研究组与中国科学院物理研究所何珂、马旭村研究组等合作，首次在Cr掺杂(Bi,Sb)₂Te₃磁性拓扑绝缘体薄膜中成功观测到量子反常霍尔效应。他们的研究显示，在零磁场下，反常霍尔电阻呈现出所预测的量子化值（h/e²），同时伴随纵向电阻的大幅下降；在强磁场下，纵向电阻完全消失，而霍尔电阻仍然保持量子化值。量子反常霍尔效应的实现将引导和推动低能耗电子学的发展。相关研究进展发表在2013年4月12日Science[340(6129):167-170]上。