上海微系统所历经30余年的努力，分别突破绝缘体上硅（SOI）和12英寸大硅片技术，先后成功研发出拥有核心自主知识产权的48英寸SOI和12英寸大硅片并实现产业化，制定了我国首部SOI技术企业标准，打破了国外技术封锁，跻身国际高端硅基材料市场，是我国硅集成电路技术和微电子材料的重大突破。获2006年度国家科学技术进步奖一等奖、2007年度中国科学院杰出科技成就奖。

　　微电子所牵头组织全国性产学研用联盟，通过7年攻关，先后突破22纳米高k介质/金属栅工程、14纳米FinFET器件、新型闪存器件、可制造性设计等关键技术，在关键工艺模块上形成较为系统的知识产权布局（专利2406项，其中国际专利483项），并于2013年首次实现向大型制造企业的许可转让，进入产业化开发阶段，为我国纳米级极大规模集成电路产业技术升级提供了技术支撑。获2014年度中国科学院杰出科技成就奖。

12英寸大硅片

大规模体硅FinFET器件阵列