近日，中国科学院化学研究所有机固体院重点实验室研究员宋延林与瑞士苏黎世理工学院教授F. Diederich、中科院物理所研究员高鸿钧等合作，在利用具有推拉电子基团的分子晶态薄膜进行超高密度信息存储研究方面取得了新的进展。

    他们在以往的工作基础上，设计合成了具有强电子给体和电子受体、物理化学性质稳定的有机分子1,1,2-tricyano-2-[(4-dimethyl-aminophenyl)ethynyl]ethene (TDMEE)。采用真空沉积的方法，成功地制备出给体-受体反平行规整排列的晶态薄膜并系统研究了TDMEE的薄膜生长特性。通过在STM针尖和HOPG衬底之间施加电压脉冲的方法，在TDMEE薄膜上实现纳米尺寸信息点的写入，信息点的平均直径达2.1纳米,对应信息存储密度>1013bits/cm2。该结果具有良好的重复性和稳定性。进一步的实验和理论研究结果表明，信息点的产生来源于外电压诱导的分子间电荷转移导致的导电性的改变，薄膜中分子有序的给体-受体反平行排列，有利于这种电荷转移。这一研究结果为在真空条件下制备的分子电子器件的材料设计和结构控制提供了新的思路和途径。相关研究结果发表在近期的《先进材料》上。