5月30日上午，法国科学院院士、2007年诺贝尔物理学奖获得者Albert Fert教授来到中科院物理研究所，在“崔琦讲座”作专题报告，题目是Spin-orbitronics: a new direction in spintronics。来自中关村周边研究所和各大学的近三百名研究人员和学生听取报告。

　　在该报告中，Fert教授结合其实验室过去和当前的研究成果，简要回顾了巨磁电阻(GMR)效应的发现及其在高密度计算机磁硬盘(HDD)磁信息存储和iPad等民用产品方面的广泛应用，介绍了磁性隧道结和隧穿磁电阻(TMR)及自旋转移力矩效应等在目前研发磁性随机存储器(STT-MRAM)方面的进展；而后，重点介绍了目前自旋电子学研究领域里新的研究方向：“自旋-轨道电子学”，特别是自旋-轨道相互作用等在产生磁性斯格明子(Skyrmions)过程中的物理机制及其研究进展，并预测了未来磁性斯格明子(Skyrmions)在高密度磁信息存储技术及其器件设计中的潜在应用前景；最后介绍了DM相互作用(Dzyaloshinskii-Moriya interaction，DMI)、Rashiba效应以及自旋霍尔效应对磁畴壁的旋性以及磁畴壁运动的影响。

　　当天下午，Albert Fert教授还逐一参观了磁学实验室六个课题组，饶有兴趣地认真听取了课题组近年来所取得的一些有代表性的研究进展介绍，并与磁学室研究人员和学生进行了细致和深入的讨论，为今后可能开展的一些国际交流与合作研究奠定了前期基础。

　　Albert Fert教授作报告

　　报告厅座无虚席