8月24日，记者从中科院强磁场科学中心获悉，在中心首席科学家张裕恒院士领导下，研究员张昌锦小组近日在拓扑超导单晶体研究中取得重要进展，研究成果发表于《美国化学会志》。
　　拓扑超导态是物质的一种新状态，有别于传统的超导体，拓扑超导体的表面存在厚度约1纳米的受拓扑保护的无能隙金属态，其内部则是超导体。如果把一个拓扑超导体一分为二，其新表面又会自然出现一层厚度约1纳米的受拓扑保护的金属态。这种性质使得拓扑超导体被认为是永远不会出错的量子计算机的理想材料。
　　寻找一种潜在的新拓扑超导单晶材料是当前拓扑超导研究中的一个挑战性课题。中科院强磁场中心研究人员成功将碱土金属元素Sr插入到典型的拓扑绝缘体材料Bi2Se3中，获得了高质量的SrxBi2Se3单晶体，该材料表现出高达91.5%的超导体积比。研究人员将其放置于空气中长达4个月之久，发现其超导性质没有发生变化，说明其在空气中十分稳定。
　　随后，研究人员又利用稳态强磁场实验装置五号水冷磁体对SrxBi2Se3单晶体是否存在拓扑性质进行了研究，发现该材料在10~35特斯拉磁场区间出现了周期性的量子振荡信号，通过分析振荡信号，研究人员给出了这个体系存在拓扑保护的表面态的证据。这些结果表明SrxBi2Se3单晶体是研究拓扑超导电性的理想材料。
　　（原载于《中国科学报》 2015-08-25 第4版 综合)