九三学社原中央常委、浙江省主委，我国著名半导体材料专家、中国科学院院士、浙江省政协原副主席、省科协原主席、原浙江大学副校长、教授阙端麟先生遗体告别仪式，于2014年12月22日上午在杭州举行。

　　阙端麟先生1928年5月19日生于福建省福州市，1947年毕业于福州英华中学。

　　1951年毕业于厦门大学电机系并留校任教。1953年调入浙江大学，1981年晋升教授。

　　1984年到1988年担任副校长。

　　1988年到1989年担任校务委员会副主任。

　　1991年当选为中国科学院院士。

　　曾担任国务院学位委员会第二、第三、第四届非金属材料学科评审组组长、国家科委发明委员会特邀评审员、国家自然科学基金委员会半导体学科评审组组长、浙江省科协主席等职。

　　1984年加入九三学社，历任九三学社第一、第二届浙江省委会副主委，第三、第四届主委，第五届名誉主委，第八届中央委员，第九、第十届中央常委。

　　曾任第六届全国政协委员，第七届全国人大代表，第七、第八届浙江省政协副主席。

　　1986年被评为国家有突出贡献中青年专家，1988年获浙江省劳动模范称号，1990年被评为全国高等学校先进科技工作者，同年获全国“五一”劳动奖章。

　　2002年获何梁何利基金科学与技术进步奖。

　　阙端麟先生是我国较早开始半导体材料研究的著名学者之一，科研成果丰硕。

　　试制成我国第一台温差电发电机；

　　在国内首先用硅烷法成功研制出极高阻探测器级硅单晶；

　　首先提出用氮气作为保护气直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶；

　　发展了单色红外光电导衰减寿命测试理论和技术，主持研制的测试仪器技术指标大大优于同类进口仪器，使硅单晶工业产品寿命测试仪国产化。

　　多项研究成果取得显著经济、社会效益，“全分子筛吸附法提纯硅烷”获1980年国家发明三等奖；

　　“高频1.09μm红外光电导衰减硅单晶少子寿命测试仪”获1988年国家发明三等奖；

　　“减压充氮直拉硅单晶技术”被《科技日报》评选为我国1987年10项重大科技成果之一，1988年获第37届尤里卡世界发明博览会金牌奖，1989年获国家发明二等奖。

　　阙端麟先生在教育战线上辛勤耕耘60余年，成绩卓越。作为浙江大学半导体材料学科的奠基人，领导该学科成为国务院学位委员会批准的第一批硕士学位授予点之一和第一个半导体材料工学博士学位授予点，1988年被评为国家重点学科；1987年获批建成高纯硅及硅烷国家重点实验室，为我国的半导体材料产业作出重大贡献。

　　首开“半导体材料”等10余门新课，治学严谨，精心育人，“桃李满天下”。

　　阙端麟先生十分重视参政议政工作，经常亲自参加课题调研，积极建言献策，提出的意见建议得到了中共浙江省委、省政府的重视，产生了很好的社会影响，为浙江政协事业和经济社会健康发展作出了积极贡献。

　　阙端麟先生的逝世，不仅是浙江大学、浙江省的重大损失，也是我国科技界、教育界的重大损失。他崇高的科学精神和道德风范永远值得我们学习和敬仰。