您的位置:
首页
>
国家技术发明奖
高可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术及应用
发布时间:2012-02-16
来源:
【字号:
小
中
大
】
项目名称:高可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术及应用
第一完成单位:上海技术物理所
获奖级别:二等奖
关闭窗口
©
1996 - 2012 中国科学院 版权所有 备案序号:京ICP备05002857号 联系我们 地址:北京市三里河路52号 邮编:100864