面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康,率先实现科学技术跨越发展,率先建成国家创新人才高地,率先建成国家高水平科技智库,率先建设国际一流科研机构。

——中国科学院办院方针

首页 > 科研进展

微电子所在垂直沟道纳米晶体管研发方面获进展

2022-08-18 微电子研究所
【字体:

语音播报

  垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等优势,在1纳米逻辑器件/10纳米 DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。

  要实现垂直沟道纳米晶体管的大规模制造,须对其沟道尺寸和栅极长度进行精准控制。对于高性能垂直单晶沟道纳米晶体管,现阶段控制沟道尺寸的最好方法是采用先进光刻和刻蚀技术,但该技术控制精度有限,导致器件性能波动过大,不能满足集成电路大规模先进制造的要求。

  中国科学院微电子研究所研究员朱慧珑团队在实现对栅极长度和位置精准控制的基础上,提出并研发出了一种C型单晶纳米片沟道的新型垂直器件(VCNFET)以及与CMOS技术相兼容的双面处理新工艺,其突出优势是沟道厚度及栅长/位置均由外延层薄膜厚度定义并可实现纳米级控制,为大规模制造高性能器件奠定了基础,研制出的硅基器件亚阈值摆幅(SS)以及漏致势垒降低(DIBL)分别为61mV/dec8mV/V,电流开关比达6.28x109,电学性能优异。

  相关研究成果于近日以Vertical C-Shaped-Channel Nanosheet FETs Featured with Precise Control of both Channel-Thickness and Gate-Length为题发表在IEEE Electron Device Letters上。

  论文链接 

1 (a) 垂直纳米片器件的TEM截面图 (b) 器件沟道中心位置的纳米束衍射花样 (c) 外延硅沟道的TEM俯视图 (d)-(f) 器件截面的EDS能谱图

2 垂直纳米片器件的转移输出特性曲线

打印 责任编辑:江澄

扫一扫在手机打开当前页

© 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn

  • © 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

    电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

    编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn

  • © 1996 - 中国科学院 版权所有
    京ICP备05002857号-1
    京公网安备110402500047号
    网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
    电话:86 10 68597114(总机)
       86 10 68597289(总值班室)
    编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn