第一完成单位：物理研究所
获奖奖种：中国科学院杰出科技成就奖
获奖时间：2005

内容简介：
　　 在薄膜材料的异质外延生长研究中取得突破进展， 在硅单晶上制备出原子级平整的金属薄膜，观察到了量子阱态对电子态密度和电声子耦合强度的调制行为，发现了超导转变温度、热膨胀系数、功函数等材料基本参量和性质的量子振荡现象，对一个四十多年前提出的理论预期给出确定性的实验证明，这对固体物理学的发展具有非常重要的基础意义。发明了精确控制纳米结构生长的“幻数团簇+纳米模板”方法，在硅单晶上制备出了金属纳米团簇的两维人造晶格。发现了纳米结构失稳的微观机制，提出了两种不同的原子层间任意和选择位置质量传输模型，揭示了原子的边－角扩散对称破缺决定着纳米结构的形状，提出了表面活性剂诱导的薄膜生长中反应限制聚集理论。 

实验中使用的超高真空角分辨光电子谱－分子束外延－扫描隧道显微镜联合系统
 

实验中使用的变温扫描隧道显微镜－分子束外延－磁光科尔效应测量联合系统