阙端麟校友是我国较早开始半导体材料研究的著名学者之一，科研成果丰硕。试制成我国第一台温差电发电机；在国内首先用硅烷法成功研制出极高阻探测器级硅单晶；首先提出用氮气作为保护气直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶；发展了单色红外光电导衰减寿命测试理论和技术，主持研制的测试仪器技术指标大大优于同类进口仪器，使硅单晶工业产品寿命测试仪国产化。多项研究成果取得显著经济、社会效益，“全分子筛吸附法提纯硅烷”获1980年国家发明三等奖；“高频1.09μm红外光电导衰减硅单晶少子寿命测试仪”获1988年国家发明三等奖；“减压充氮直拉硅单晶技术”被《科技日报》评选为我国1987年10项重大科技成果之一，1988年获第37届尤里卡世界发明博览会金牌奖，1989年获国家发明二等奖。

　　阙端麟校友是一位执着求真、勇于创新的著名学者，他怀着强国兴教之理想，投身教育事业，奉献了自己的毕生精力。他六十年如一日奋斗在教学与科研第一线，成绩卓越。作为教师，他首开“半导体材料”等10余门新课，治学严谨，精心育人，“桃李满天下”。作为浙江大学半导体材料学科的奠基人，他领导该学科成为国务院学位委员会批准的第一批硕士学位授予点之一和第一个半导体材料工学博士学位授予点，1988年被评为国家重点学科；1987年获批建成高纯硅及硅烷国家重点实验室，为我国的半导体材料产业作出重大贡献。

　　阙端麟校友于1951年毕业于我校电机系并留校任教。1953年，因国家院系调整需要，阙端麟调入浙江大学工作。阙端麟校友对母校有深厚的感情。他曾任我校浙江校友会会长，长期关心和支持校友工作，引领和号召广大校友们情系母校、奉献社会，为国家经济建设和社会发展尽己所能，成为校友们学习的楷模。阙端麟校友的不幸辞世，使厦大人失去了一位可敬的校友，使中国科学界、教育界失去了一位可敬的学者和教师。他为我们留下了宝贵而丰富的精神财富，他对教育事业的无限忠诚，忘我工作、甘于奉献的敬业精神和胸怀坦荡、平易近人的高尚品德，将永远值得厦大人学习和敬仰。

　　生平简介：

　　阙端麟，1928年5月19日生于福建省福州市，1947年毕业于福州英华中学。1951年毕业于厦门大学电机系并留校任教。1953年调入浙江大学，1981年晋升教授。1984年到1988年担任副校长。1988年到1989年担任校务委员会副主任。1991年当选为中国科学院院士。曾担任国务院学位委员会第二、第三、第四届非金属材料学科评审组组长、国家科委发明委员会特邀评审员、国家自然科学基金委员会半导体学科评审组组长、浙江省科协主席等职。1984年加入九三学社，历任九三学社第一、第二届浙江省委会副主委，第三、第四届主委，第五届名誉主委，第八届中央委员，第九、第十届中央常委。曾任第六届全国政协委员，第七届全国人大代表，第七、第八届浙江省政协副主席。1986年被评为国家有突出贡献中青年专家，1988年获浙江省劳动模范称号，1990年被评为全国高等学校先进科技工作者，同年获全国“五一”劳动奖章。2002年获何梁何利基金科学与技术进步奖。