7月11日，美国宾夕法尼亚州立大学物理系教授祝钧和Vincent Crespi应邀做客中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学论坛，并分别作了题为Valley-controlled Transmission of ballistic valley Hall kink states in bilayer graphene和NanoGeometry的学术报告，吸引了众多师生参加。 

　　谷电子学（Valley electronics）是近年来凝聚态物理领域研究的热点。如何实现对二维材料体系中谷自由度的探测和操纵，是开发谷电子学器件的关键。祝钧及其团队利用多顶栅、底栅技术，在双层石墨烯器件中实现了对谷自由度的探测和操纵，观察到了Valley Hall Kink态以及在磁场下的量子化现象，并解释了基于该器件的电子束分束现象。 

　　纳米尺度上的几何效应可以产生新的物理现象。通过对苯环分子几何结构的理论计算和实验研究，Vincent Crespi展示了利用高压将苯环分子连接形成一维苯环纳米管（nanothread），并计算了不同苯环纳米管的能带结构和掺杂效应。在MoxW1-xS2体系中，Vincent Crespi讨论了不同掺杂比例和不同几何条件下MoxW1-xS2原子层边界原子的分布情况，从而提出了构建Mo-W-S超晶格结构的可能。最后，Vincent Crespi分析了折叠石墨烯的热振动声子谱，介绍了利用电子和空穴掺杂的石墨烯折叠可以产生“星行”的结构。 

　　 祝钧，1996年毕业于中国科学技术大学，2003年获得哥伦比亚大学博士学位，主要研究GaAs体系的量子霍尔和分数霍尔效应。2003年—2005年，在康奈尔大学从事博士后研究工作，并于2006年任职于宾夕法尼亚州立大学，目前主要研究领域包括石墨烯及其他低维材料的电子性质和器件研究。 

　　Vincent Crespi毕业于加州大学伯克利分校并获得博士学位，于1997年加入宾夕法尼亚州立大学，目前是宾州州立大学材料研究科学与工程中心主任、美国二维晶体联盟计划首席理论科学家、AIP Advance期刊主编。他的研究涉及凝聚态物理、化学、材料和工程等领域，具体包括信息理论，1D, 2D和3D金属、半导体纳米结构的力学、光学和电学性质计算，以及磁阻挫、分子马达、细胞膜质的力学响应、自组织等等。 

祝钧作报告 

Vincent Crespi作报告