加快打造原始创新策源地,加快突破关键核心技术,努力抢占科技制高点,为把我国建设成为世界科技强国作出新的更大的贡献。

——习近平总书记在致中国科学院建院70周年贺信中作出的“两加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康,率先实现科学技术跨越发展,率先建成国家创新人才高地,率先建成国家高水平科技智库,率先建设国际一流科研机构。

——中国科学院办院方针

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半导体所研究员薛春来做客合肥研究院固体所青年论坛

2017-01-17 合肥物质科学研究院
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  1月16日上午,应中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所青联会和微纳技术与器件研究室邀请,中科院半导体研究所研究员薛春来访问固体所,并作了题为《面向后摩尔时代应用的硅基Ⅳ族异质材料制备与器件研究》的学术报告。

  薛春来介绍了发展硅基Ⅳ族异质材料的意义:相比于传统的Ⅱ-Ⅵ族及Ⅲ-Ⅴ材料,Ⅳ材料与Si具有更好的材料兼容性,硅基Ge、GeSn材料在硅基发光器件及探测器件中有着重要的应用。之后,薛春来详细介绍了他近期在硅基Ge、GeSn材料外延制备、发光器件及光电探测器研究方面的进展以及一系列创新性的重要成果。薛春来扎实的理论基础、清晰全面的讲解获得与会师生的一致好评。会后,大家就自己感兴趣问题与薛春来进行了热烈地交流讨论。

  薛春来,主要研究方向为硅基Ⅳ族合金材料的外延制备、硅基光子器件及集成技术以及新型近红外光电传感器件等。作为课题负责人主持国家自然基金项目4项,973课题1项。在国内外刊物发表文章90 余篇,其中SCI、EI收录70余篇,授权专利多项。

  
打印 责任编辑:陈丹

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