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中科院院士王曦获上海市科技功臣奖

文章来源:上海微系统与信息技术研究所    发布时间:2018-03-23  【字号:      】

  3月23日上午,上海市科学技术奖励大会举行,表彰在上海科技创新中作出突出贡献的科技工作者。2017年度上海市科学技术奖共授奖272项(人):授予中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长、中科院院士王曦上海市科技功臣奖;授予21项成果上海市自然科学奖,其中一等奖11项;授予31项成果上海市技术发明奖,其中一等奖10项;授予216项成果上海市科技进步奖,其中一等奖33项。上海微系统所硅光子团队的“片上光隔离和衍射极限理论突破及大规模硅光子集成”项目荣获上海市自然科学一等奖。

  王曦长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究,并应用于高端集成电路衬底材料SOI(Silicon-on-insulator)开发,创建了我国唯一的SOI材料研发和生产基地——上海新傲科技股份有限公司。带领团队开发出超低剂量SOI工艺,在国际上独创了具有自主知识产权的注氧键合Simbond®-SOI技术,完成我国8英寸SOI材料产业化,产品出口西方发达国家,实现我国微电子材料的跨越式发展。此外,解决了我国航天电子器件急需SOI产品的“有无”问题,为我国特殊领域核心元器件自主可控做出突出贡献。王曦大力推动上海一批半导体重大项目,12寸集成电路硅片项目有望填补我国大尺寸硅片产业空白;磁存储器和硅光子项目为上海未来微电子技术的差异化发展提供创新思路;致力于“超越摩尔”技术创新和产业化的上海微技术工业研究院成功落成,已成为上海建设全球科创中心的“四梁八柱”。

  “片上光隔离和衍射极限理论突破及大规模硅光子集成”项目由上海微系统所甘甫烷、武爱民、李伟、祁明浩、王曦团队共同完成,通过微电子与光电子深度融合,项目组针对集成电路发展遇到的速率和功耗两大瓶颈,针对困扰大规模硅光子集成的衍射极限、片上光源、光隔离和大规模硅光子集成取得了一系列创新成果,部分成果实现转化,打破了国外垄断,为硅光子技术在高速通信和互连领域的大规模应用奠定了科学基础。

  本年度的上海科技奖励评审和表彰工作紧紧围绕上海科技创新中心建设,重点关注基础研究和发明创造、科技成果转移转化、产学研结合的协同创新、企业牵头的创新项目,选拔和鼓励了一批优秀的创新成果和个人。




(责任编辑:陈丹)

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