中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发，在掌握直径50.8mm（2英寸）、76.2mm（3英寸）碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径100mm（4英寸）4H晶型碳化硅单晶。碳化硅单晶正朝着大尺寸的方向迅速发展。

碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，临界击穿场强大，热导率高等诸多特点，主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET、IGBT等器件。在绿色照明领域，用碳化硅衬底制作的LED性能远优于蓝宝石衬底。2012年4月，科锐公司利用SiC衬底制作的LED其发光效率达到254 lm/w，再次创造了业界记录。在功率半导体领域，碳化硅有望实现Si材料无法实现的高效率及小型化。2012年，科锐、三菱电机、罗姆均推出了全碳化硅功率模块产品。飞兆半导体也宣布将于2013年上半年开始量产碳化硅基双极结型晶体管。碳化硅衬底需求将在短期内迎来一个爆发增长期。

上海硅酸盐所研发成功4英寸碳化硅单晶