日前，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。

该科研成果主要面向家用电器应用领域，联合江苏矽莱克电子科技有限公司进行市场推广，目前正由国内著名的家电企业用户试用，微电子所和华润微电子将联合进一步推动国产自主IGBT产品的大批量生产。

IGBT作为新型电力电子器件的典型代表，广泛应用于智能电网、新能源发电、新能源汽车、工业变频、机电一体化、家用电器等诸多领域，是关系国家能源、交通、工业、家电等国计民生的核心电子元器件。由于国内IGBT制造工艺的落后，严重制约了我国IGBT产品的全国产化和产业化进程，技术和市场完全被少数国外企业垄断，尤其在高端应用领域。

定位于“满足国家战略需求” 目标的中国科学院微电子研究所，在VDMOS、IGBT等功率器件领域的研制有二十多年的技术积累和基础，为我国微电子技术和产业发展做出了重要贡献，培育了一批优秀的功率器件和工艺设计研发团队，建设拥有世界先进的功率器件全参数测试平台，并正在建设全面的可靠性设计测试分析平台。为面向国家新兴战略产业，微电子所正致力于智能电网和电动汽车等高端应用领域的IGBT产品开发。