在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，中科院化学所有机固体院重点实验室的刘云圻研究员、朱道本院士和武汉大学秦金贵教授合作，在以并五噻吩为半导体材料的场效应晶体管研究方面取得新进展，有关研究成果发表在近期的 J. Am. Chem. Soc. (2005, Vol. 127, No. 38, p.13281－13286)上。

    该研究首先合成了以噻吩为结构单元的并五噻吩。从分子结构上分析，并五噻吩具有比并五苯更高的稳定性，同时可能具有更好的电性能。该研究对并五噻吩进行了结构表征和薄膜性能研究，并以它为半导体材料制备了场效应晶体管。结果表明，并五噻吩的Eg为3.29eV,而相应的并五苯的Eg仅为1.85eV。热分解温度272oC。场效应迁移率0.045cm2/Vs，开关比103。这一研究进展，预示着并五噻吩将有可能成为新一类的有机半导体材料。

    场效应晶体管是微电子学中最重要的单元器件，它是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件。而以有机分子为半导体材料制备的场效应晶体管具有制备工艺简单、成本低和柔韧性好等优点，可应用于智能卡、电子商标、电子纸、存储器、传感器和有源矩阵显示器。

    目前，并五苯因其成膜性能好、高迁移率而成为被研究得最多的有机半导体材料之一。但并五苯也存在一些缺点，如稳定性不好，在可见光区域内有很强的光吸收能力，限制了它在显示器领域里的应用。