由中科院物理所光物理实验室与所技术部等单位合作的“II型激光分子束外延设备及其应用研究”于12月13日通过中国科学院综合计划局和基础科学局主持的专家鉴定和验收。

    鉴定会认为：“中科院物理研究所自行设计研制成功的II型激光分子束外延设备，从结构的合理性和使用的实用性出发，在集中了I型设备和国内外已有技术的基础上，充分发挥了自己拥有的专利和技术特长，使II型激光分子束外延设备成为具有自主知识产权和技术特点的、目前世界上先进的激光分子束外延设备，其整体性能和指标具有国际先进水平。发明的活化气体装置具有创新性。在氧化物薄膜层状外延生长过程中，能观测到上千周期的RHEED强度振荡，这一关键技术达到目前国际最高水平。”

    “SCI国际检索和专利检索表明，物理研究所在激光分子束外延应用研究方面居于国际前列，具有相当的优势和特点。其中，氧化物p-n结和在Si衬底上生长高K氧化物栅绝缘材料等方面取得了突破性的进展，首次在全氧化物p-n结构上观测到电流和电压的磁调制现象与正磁电阻效应；首次在镧锰氧化物薄膜和镧锰氧化物相关p-n结上观测到10-10秒超快光电效应，这些成果达到了国际领先水平。”