院况简介
1949年,伴随着新中国的诞生,中国科学院成立。
作为国家在科学技术方面的最高学术机构和全国自然科学与高新技术的综合研究与发展中心,建院以来,中国科学院时刻牢记使命,与科学共进,与祖国同行,以国家富强、人民幸福为己任,人才辈出,硕果累累,为我国科技进步、经济社会发展和国家安全做出了不可替代的重要贡献。 更多简介 +
院领导集体
创新单元
科技奖励
科技期刊
工作动态/ 更多
中国科学院学部
中国科学院院部
语音播报
智能手机包含数十亿个被称为晶体管的微小开关。这些开关让人们可以处理除打电话以外的无数任务,比如发送短信、在社区导航和自拍。它们包括一个导电通道,其电导率可通过一个栅终端改变。而栅终端通过一个只有5~6个原子厚的介电薄膜,从通道中被分离出来。
根据摩尔定律,过去50年间晶体管一直在小型化。摩尔定律观察到,一块芯片上的晶体管数量约每18个月增加一倍,成本则减半。但如今,人们已经面临不能再进一步扩大晶体管的局面。
在美国物理联合会(AIP)下属《应用物理快报》上,研究人员回顾了负电容场效应晶体管(NC-FETs)的发展。NC-FETs是一种新的器件概念。它表明,只需添加一层薄薄的铁电材料,便可以大大提高传统晶体管的效率。如果投入使用,同样的芯片可以计算更多,并且需要更少的频繁充电。
在上述文章中,研究人员总结了NC-FETs的最新研究成果,以及文献中报道的各种实验需要一致和连贯的问题。
“NC-FETs最初是由我的同事Supriyo Datta和研究生Sayeef Salahuddin提出的。他现在是加州大学伯克利分校的教授。”普渡大学电气和计算机工程教授Muhammad Ashraful Alam介绍说。
从一开始,Alam就发现NC-FETs的概念很有趣,它不仅解决了为半导体行业寻找新的电子开关这一迫切问题,还是一个针对被共同称为“朗道开关”的广义类相变装置的概念性框架。
“最近,当我的同事兼合著者Peide Ye教授开始实验展示这些晶体管时,我有机会与他合作,探索这种设备技术的有趣特性。”Alam 表示,“我们的文章总结了和这个话题相关的‘理论—实验’观点。”
扫一扫在手机打开当前页
© 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002
地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)
编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn
© 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002
地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)
编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn
© 1996 - 中国科学院 版权所有
京ICP备05002857号-1
京公网安备110402500047号
网站标识码bm48000002
地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
电话:86 10 68597114(总机)
86 10 68597289(总值班室)
编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn