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法国下诺曼底卡昂大学庄鑫博士访问电子所
  文章来源:电子学研究所 发布时间:2012-06-29 【字号: 小  中  大   

6月25日,来自法国下诺曼底卡昂大学电子微电子纳米电子专业的庄鑫博士到电子学研究所进行访问并开展学术交流。电子所相关科研人员及研究生共计50余人参加了学术交流。

交流中,电子所电磁辐射与探测技术院重点实验室主任方广有介绍了本次活动的背景情况和庄博士的个人情况。随后,庄博士作了题为“磁致伸缩/压电叠层磁传感器的噪声分析及性能优化”的学术报告,介绍了ME磁场传感器的性能及其扩展应用情况,并与会场科研人员进行深入的学术交流和互动。

吴一戎所长对本次庄鑫博士来所参加“海外人才走进科学院活动周”进行学术交流非常关注,并与庄博士就其在法国的科研情况、科研产业化情况和留学归国人员的发展情况进行了交流座谈。

当天下午,庄博士还参观了电磁辐射与探测技术院重点实验室,针对磁场传感器的研制、噪声模型、测量标定方法,以及双方在科研工作中面临的共性问题与科研人员进行专题讨论。他表示收获颇丰。

中国科学院人才发展主题活动日系列活动之一“海外人才走进科学院活动周”是院“创新2020”人才发展战略的重要举措之一,旨在通过邀请海外优秀科技人才集中访问中科院的有关研究所并进行学术交流,建立与海外人才的交流联络机制,向海外人才宣传国家和中科院的人才举措与政策,搭建长期合作与双向选择的平台。计划正式启动以来,已有46位海外人才代表应邀访问中科院,与国内优秀青年人才一起交流座谈。

庄鑫博士作报告

活动现场

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