上海交通大学与中国科学院上海硅酸盐研究所等单位合作，在无机塑性半导体领域取得重大突破。研究发现，二维结构范德华半导体InSe在单晶块体形态下具有超常规的塑性和巨大的变形能力，既具有传统无机非金属半导体的优异物理性能，又可像金属一样进行塑性变形和机械加工，在柔性和可变形热电能量转换、光电传感等领域有广阔的应用前景。7月31日，该研究成果发表于《科学》。
　　受Ag2S准层状结构与非局域、弥散化学键特性的启发，研究人员聚焦一大类包含范德华力的二维结构材料，并在其中发现了具有超常塑性的InSe晶体。同时，研究人员发现，不同于多晶形态下的脆性行为，InSe单晶二维材料在块体形态下可以弯折、扭曲而不破碎，甚至能够折成“纸飞机”、弯成莫比乌斯环，表现出罕见的大变形能力。非标力学试验结果进一步证实了材料的超常塑性，其压缩工程应变可达80%，特定方向的弯曲和拉伸工程应变也高于10%。
　　进一步的实验表明，InSe单晶块体的塑性变形主要来自层间的相对滑动和跨层的位错滑移，InSe的变形和塑性与其特殊的晶体结构和化学键密切相关。这些多重、非局域的较弱作用力一方面促进层间的相对滑移，另一方面又像“胶水”把相邻的层“黏合”起来，抑制材料发生解理，同时保证位错的跨层滑移。
　　基于InSe单晶特殊的力学性质和化学键特性，研究人员提出，具有高解理能、低滑移能、低杨氏模量的材料有望具有良好塑性变形能力。该判据很好地解释了目前已发现的两种无机塑性半导体Ag2S和InSe，也为其他新型塑性和可变形半导体的预测和筛选提供了理论依据。
　　该研究参加单位还包括上海电机学院、西安交通大学、中国科学院宁波材料技术与工程研究所、克莱姆森大学等。
　　相关论文信息：https://doi.org/10.1126/science.aba9778
　　（原载于《中国科学报》 2020-08-03 第1版 要闻)