加快打造原始创新策源地,加快突破关键核心技术,努力抢占科技制高点,为把我国建设成为世界科技强国作出新的更大的贡献。

——习近平总书记在致中国科学院建院70周年贺信中作出的“两加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康,率先实现科学技术跨越发展,率先建成国家创新人才高地,率先建成国家高水平科技智库,率先建设国际一流科研机构。

——中国科学院办院方针

首页 > 传媒扫描

【中国科学报】世界第二高磁场超导磁体研制成功

2017-12-18 中国科学报 彭科峰 徐小杰
【字体:

语音播报

  记者日前从中科院电工所获悉,该所超导磁体及强磁场应用研究部王秋良团队采用自主研发的高温内插磁体技术,研制出可产生27.2T中心磁场的超导磁体。这是由全超导磁体产生的世界第二高磁场。第一高磁场由日本理化技术研究所于2016年1月创造,测试结果为27.6T。

  据介绍,REBCO超导体因抗拉伸强度高和高磁场下优异的载流特性,适宜于绕制极高场超导磁体。然而,REBCO带材的结构是层状的,在极高场条件下由于应力集中可能会出现分层现象。这会导致磁体损伤,无法稳定运行。

  针对该问题,王秋良团队相继采用特制的绑扎装置对磁体外层导线予以保护,并且调整内插磁体线圈的分层结构,以降低REBCO导线上的应力水平。同时,利用分级设计的方式提高内插磁体的安全裕度,使内插磁体的运行裕度得以大幅提高。

  该团队在今年5月11日获得25.7T全超导磁体。此后,其研制的高磁场超导磁体经液氦条件测试,内插线圈运行电流达到169.2安培时,在15T的超导背场中产生了12.2T的中心磁场,实现了27.2T全超导磁体的稳定运行。这也是目前超导磁体稳定运行的最高磁场。

  (原载于《中国科学报》 2017-12-18 第1版 要闻)
打印 责任编辑:侯茜

扫一扫在手机打开当前页

© 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn

  • © 1996 - 中国科学院 版权所有 京ICP备05002857号-1 京公网安备110402500047号 网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864

    电话: 86 10 68597114(总机) 86 10 68597289(总值班室)

    编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn

  • © 1996 - 中国科学院 版权所有
    京ICP备05002857号-1
    京公网安备110402500047号
    网站标识码bm48000002

    地址:北京市西城区三里河路52号 邮编:100864
    电话:86 10 68597114(总机)
       86 10 68597289(总值班室)
    编辑部邮箱:casweb@cashq.ac.cn